Instrumentación electrónica Práctica 1

[pic 1]INSTITUTO TECNOLÓGICO DE LA LAGUNA

Maestría en ciencias en ingeniería eléctrica

Instrumentación electrónica

Práctica 1

Dr. Francisco Flores García

Andrea Lisbeth García Pinedo

N° de Control: M2013042

04/Noviembre/20201

Objetivo

Realizar la práctica #1 utilizando los conceptos que vimos en clase, así como las configuraciones que se vio durante la carrera

Marco teórico

Los transistores bipolares son amplificadores de corriente ideales. Cuando se aplica una pequeña señal al terminal de entrada, en los terminales de salida aparece una reproducción ampliada de esta corriente. Aunque la señal de entrada puede acoplarse al dispositivo de varias formas, solamente las tres configuraciones básicas (base común, emisor común y colector común) resultan útiles en la práctica.

El transistor se puede emplear como un dispositivo amplificador. Es decir, la señal senoidal de salida es mayor que la de entrada, o, dicho de otra manera, la potencia de ca de salida puede ser mayor que la potencia de ca de entrada. Surge entonces la pregunta sobre cómo es que la potencia de salida de ca pueda ser mayor que la potencia de ca de entrada. La conservación de la energía dicta que con el tiempo la salida de potencia total, Po, de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada, Pi y que la eficiencia definida por h Po>Pi no puede ser mayor que 1. El factor que falta en el planteamiento anterior que permite que una potencia de salida de ca sea mayor que la potencia de ca de entrada es la potencia de cd aplicada. Es un contribuyente a la potencia de salida total aun cuando una parte de ella se disipe por el dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un “intercambio” de potencia de cd con el dominio de ca que permite establecer una potencia de ca de salida más alta.

Desarrollo

Diseñar y simular un amplificador utilizado un Bjt en configuración de divisor de tensión que cumpla las siguientes especificaciones

• Deberá de tener una ganancia de 10
• Probar la inversión y amplificación con una señal de generador de  50 mVp (2KHz)
• Probar el circuito con señal senoidal, triangular y cuadrada
• Encontrar las frecuencias de corte y baja del arreglo
• Colocar una resistencia de carga de un valor igual a Rc y checar de nuevo la ganancia
• Colocar una resistencia de carga por encima y por debajo del valor de Rc (el valor inmediato siguiente comercial) y checar de nuevo la simulación
• Comprobar cada valor con las fórmulas teóricas de ganancia

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Circuito para realizar la simulación

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Suponemos Rc

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Tenemos la siguiente fórmula, así que despejamos para calcular Ie

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Para los transistores 2n2222A la beta oscila entre 150-200

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Sabemos que

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Así que despejamos para calcular el valor de Ib

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Ahora de la siguiente fórmula

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Sabemos que

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Y

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