Memoria Eeprom

2.4.- MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)

La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente y su nombre proviene de la sigla en inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).

Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible.

Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) son memorias no volátiles y eléctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran flexibilidad, pero también una celda de memoria más compleja. Además del transistor de puerta flotante anterior, es preciso un segundo transistor de selección. El tener 2 transistores por celda hace que las memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor coste. La programación requiere de tiempos que oscilan entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y programación en placa, aunque tienen mayor coste debido a sus dos transistores por celda.

Estas memorias se presentan, en cuanto a la organización y asignación de patillas, como la UVPROM cuando están organizadas en palabras de 8 bits. Se programan de forma casi idéntica pero tienen la posibilidad de ser borradas eléctricamente. Esta característica permite que puedan ser programadas y borradas “en el circuito”.

Debido a que la célda elemental de este tipo de memorias es más complicada que sus equivalentes en EPROM o PROM (y por ello bastante más cara), este tipo de memoria no dispone en el mercado de una variedad tan amplia, y es habitual tener que acudir a fabricantes especializados en las mismas (ejemplo: Xicor).

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