Practica 1 laboratorio de análoga 1 para casa

LABORATORIO ELECTRONICA ANALOGA I 

Universidad de Antioquia – facultad de ingeniería

Departamento de electrónica - telecomunicaciones

Luis Fernando Pacheco Díaz                CC. 1.050.782.433 

Estudio de características, funcionamiento y realizar montajes físicos que permitan comprobar los conceptos teórico básicos acerca del diodo.

1. Modelo del diodo, significado de cada uno de los parámetros en Pspice.

D1 2 0 D1n4004

.MODEL D1N4004 D (IS=76.9p RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u CJO=39.8p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u)

Todos los parámetros del modelo son características físicas del diodo que dependen de la propia fabricación del mismo.

1. Simular en Pspice figura 1, tomando  y el diodo de referencia 1N4004.[pic 1]

[pic 2][pic 3]

1. Barrido DC de voltaje de entrada, considerando voltajes negativos y positivos, y obtenga la curva característica del diodo [pic 4]

En la figura 2,  se puede ver la gráfica  de la simulación del circuito de la figura 1.[pic 5]

[pic 6]

            Curva característica del diodo [1]

[pic 7]

Imagen tomada de: https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo 

Corriente máxima (Imax).

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente inversa de saturación (Is).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10 °C en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr).

Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

1. simulación en Pspice del circuito de la figura 2, para obtener el punto de operación (.OP), significado de cada uno de los parámetros presentados.

[pic 8]

****OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE =  27.000 DEG C

******************************************************************************

**** DIODES

NAME         D        

MODEL        D1N4004  

ID           1.29E-02

VD           7.11E-01

REQ          2.91E+00

CAP          1.49E-06

          JOB CONCLUDED

          TOTAL JOB TIME             .02

NAME: Nombre

MODEL: Modelo, tipo o referencia

ID:

VD:

REQ:

CAP:

1. Grafica de voltaje  presente en Pspice el valor DC, la amplitud pico y la frecuencia de la señal encontrada.[pic 9]

[pic 10]

[pic 11]

Tomando el tiempo en que se da un pico como t1 y el tiempo del pico correspondiente como t2 se hace (t2 - t1) = T, donde T (periodo) así como  f = 1/T, se tiene.

t1 = 1.2503*10^-3s y t2 = 1.2503*10^-3s ➔ t2 – t1 = 1*10^-3s

f = 1*10^3 [s^-1] = 1kHz

1. Tomar 10 valores de Vss en el rango del -2v al 2v y obtener la información del punto anterior, y obtener nuevamente el punto de operación para cada valor de Vss

1. Con la información del punto anterior referente al punto de operación completas la tabla para cada valor de Vss escogido.

Voltaje en el diodo es V(2) voltaje en el nodo 2 menos V(3) voltaje el nodo tres. VD  = V(2) – V(3), donde V(2) = Vss + Vs

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