Ram y Rom
Enviado por Fer Peruyero • 21 de Julio de 2020 • Documentos de Investigación • 1.605 Palabras (7 Páginas) • 120 Visitas
RAM y ROM
Enero 2016.
Universidad Politécnica de San Luis Potosí.
Proyecto Integrador y Comprensivo I.
Tabla de Contenidos
Tipos de ROM 1
ROM 1
PROM 2
EPROM 2
EEPROM 3
Tipos de RAM 4
DRAM 4
SRAM 5
SDRAM 5
DDR 6
DDR2 6
DDR3 7
DDR4 7
Referencias 8
Lista de figuras
Figura 1. Memoria ROM. 1
Figura 2. Memoria PROM………………………………………………………………………...2
Figura 3. Memoria EPROM. 2
Figura 4. Memoria EEPPROM…………………………………….……………………………...3
Figura 5. Memoria RAM. 4
Figura 6. Memoria DRAM. 4
Figura 7. Memoria SRAM………………………………………………………………………...5
Figura 8. Memoria SDRAM. 5
Figura 9. Memoria DDR……………………..…………………….……………………………...6
Figura 10. Memoria DDR2. 6
Figura 11. Memoria DDR3………...……………………………………………………………...7
Figura 12. Memoria DDR4. 7
Tipos de ROM
ROM (Read-Only Memory)
Es aquella que se usa en computadoras y otros dispositivos. Se caracteriza por el hecho de ser solo accesible para su lectura, o de otro modo, que no puede ser escrita.
Esta memoria está presente en la placa madre y es utilizada para almacenar y ejecutar el firmware y otro contenido vital de modo automático que hacen que la computadora se encienda. Además, almacena datos importantes como la fecha, la hora, los dispositivos instalados, etc. Estos son leídos por el sistema operativo, el cual los utiliza y modifica, como la fecha y hora.
Características principales:
- Contiene un programa llamado POST que es el encargado de hacer una revisión básica de los componentes instalados en la computadora.
- Un programa llamado SETUP contiene menús sobre las configuraciones avanzadas del equipo, las cuales se pueden modificar por el usuario.
- Para guardar los datos modificados cuenta con una memoria (CMOS).
Mediante un procedimiento especial es posible reemplazar el contenido. Además se puede regresar a su estado de fábrica y borrar las modificaciones del SETUP.[pic 1]
Figura 1. Memoria ROM.
PROM (Programmable Read-Only Memory)
Fue creada en 1956 por Wen Tsing Chow en Nueva York a comando de la Fuerza Aérea Estadounidense para conseguir una forma segura de almacenar las constantes de los objetivos en la computadora del misil MBI Atlas E/F. Es un tipo de memoria que está compuesta de fusibles sin ser quemados, con bits en valor 1 como defecto de fábrica, y puede ser programada (escritos los datos) una sola vez a través de un programador PROM. Cada fusible quemado adquiere un valor 0 produciendo una discontinuidad en el circuito. Esta memoria se programa al aplicar impulsos eléctricos de altos voltajes de entre 12 a 21 voltios. Son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos. [pic 2]
Figura 2. Memoria PROM.
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)
Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Flohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor - transistores de puerta flotante). Al igual que las memorias PROM, cada uno viene de fábrica sin carga, leídos como 1 y se programan de la misma forma. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Al ser programadas, puede borrarse su contenido fuerte y el chip puede ser reutilizado por otros datos o programas al ser expuestas a una luz ultravioleta. Esto sucede porque los fotones de luz ultravioleta excitan los electrones de las celdas, lo que produce que se descarguen.
Las EPROM son fáciles de distinguir de los otros chips porque tienen una pequeña ventana transparente en el centro de la cápsula. Esta ventana está cubierta con una etiqueta para que la luz ultravioleta no pase cuando no se desea y se proteja la información.[pic 3]
Figura 3. Memoria EPROM.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)
Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de las EPROM, que son reprogramadas por medio de luz ultravioleta. Esta puede ser leída un sin número de veces, sin embargo solo puede ser reprogramada entre 100,000 y un millón de veces. Las memorias flash son una forma avanzada de EEPROMs creadas por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba ara Toshiba en 1984.[pic 4]
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