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Simulacion Ejemplos


Enviado por   •  29 de Septiembre de 2012  •  256 Palabras (2 Páginas)  •  428 Visitas

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TECNOLOGÍA DE CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN

PRÁCTICAS DE SIMULACIÓN CON PSPICE

Práctica 1: INVERSORES

A) INVERSOR NMOS CON CARGA NMOS EN DEPLEXION.

Obtener por simulación (mediante un analisis DC) la característica de transferencia y márgenes de ruido y (mediante un analisis transitorio) los tiempos de subida (trise) y bajada (tfall), retardo de subida (PLH) y retardo de bajada (PHL), retardo medio de propagación (P), para un inversor NMOS con carga en deplexión con capacidades de carga

CL=0.1 pF y 0.2 pF.

Caracteristicas del inversor NMOS con carga NMOS en deplexión:

Driver

VTO = 1volt

KP = 100A/v2

L = 1m

W = 5m Load

VTO = -3volt

KP = 100A/v2

L = 1m

W = 1m

Usar una señal de pulsos cuadrada de unos 20ns de periodo en los dos casos. Ver tambien que ocurre con entradas no abruptas (señal cuadrada con cierto tiempo de subida y bajada).

b) INVERSOR CMOS

Obtener por simulación (mediante un analisis DC) la característica de transferencia y márgenes de ruido y (mediante un analisis transitorio) los tiempos de subida (trise) y bajada (tfall), retardo de subida (PLH) y retardo de bajada (PHL), retardo medio de propagación (P), para un inversor CMOS con capacidades de carga CL=0.1 pF y 0.2 pF.

Tomar una longitud de puerta Lnmos =Lpmos = 1m y cacular W para que los tiempos de bajada y subida sean simétricos.

Caracteristicas del inversor PMOS

NMOS

VTOn = 1volt

KPn = 100A/v2

Ln = 1m PMOS

VTOp = -1volt

KPp = 40A/v2

Lp = 1m

Usar una señal de pulsos cuadrada de unos 20ns de periodo en los dos casos. Ver tambien que ocurre con entradas no abruptas (señal cuadrada con cierto tiempo de subida y bajada).

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