COMO SE DA EL INFORME DE SEMICONDUCTORES

1. INTRODUCCIÓN:

En este informe describiremos como hemos desarrollado el trabajo de experimentación dentro del laboratorio, comenzaremos dando una ilustración (marco teórico) del material y conceptos básicos sobre la teoría aplicada en el laboratorio. Después analizaremos paso por paso la práctica del pro tobar y los elementos del circuito creado, dando conclusiones generales.

1. OBJETIVOS:

OBJETIVO GENERAL:

Reconocer los parámetros para la polarización de transistores BJT, como son: corriente de colector, tensión colector-emisor, así como la recta de carga y el punto Q de trabajo de los transistores.

1. METODOLOGIA:

MARCO TEÓRICO ESTUDIADO:

CONCEPTOS DE MATERIALES UTILIZADOS:

Multímetro:  

Es un instrumento eléctrico portátil para medir directamente magnitudes eléctricas activas como corrientes y potenciales (tensiones) o pasivas como resistencias, capacidades y otras.

El generador de funciones es un equipo capaz de generar señales variables en el dominio del tiempo para ser  posteriormente sobre el circuito bajo prueba (VER ANEXO 1)

Generador de funciones:

El generador de funciones es un equipo capaz de generar señales variables en el dominio del tiempo para ser  posteriormente sobre el circuito bajo prueba. (VER ANEXO 2)

Osciloscopio:

Es un instrumento de medición electrónico para la representación gráfica de señales eléctricas que pueden variar en el tiempo. (VER ANEXO 3)

Pro tobar:

Tablero con orificios conectados eléctricamente entre sí, habitualmente siguiendo patrones de líneas, en el cual se pueden insertar componentes electrónicos y cables para el armado y prototipo de circuitos electrónicos y sistemas similares.

Fuentes de alimentación:

Es un dispositivo que convierte la tensión alterna, en una o varias tensiones, prácticamente continuas, que alimentan los distintos circuitos del aparato electrónico al que se conecta (ordenador, televisor, impresora, Reuter, etc.).(VER ANEXO 4)

CONCEPTOS UTILIZADOS:

Funcionamiento del transistor BJT

Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor). De acuerdo con la unión de sus componentes se clasifican en transistores de tipo NPN y PNP:

[pic 1]

Fig. 1. Transistores PNP y NPN

• El funcionamiento de un transistor BJT puede ser explicado como el de dos diodos PNP pegados uno a otro.
• En este esquema (condición directa), la unión Base – Emisor (BE) actúa como un diodo normal.
• Note en la gráfica el flujo de electrones y huecos, siendo la corriente de huecos menor.
• A partir de ese momento, mediante el mismo mecanismo del diodo, se produce una corriente de base a emisor.

[pic 2]

Fig. 2. Comportamiento de un transistor NPN

De acuerdo con la Ley de Kirchoff:

[pic 3]

Fig. 3. Sentidos de la corriente en un NPN

Donde ß es el factor de amplificación (20 – 200)

Para analizar la característica i – v de un transistor se debe tomar los siguientes pares, los cuales originan una familia de curvas.

[pic 4]

[pic 5]

La polarización con dos fuentes (con resistencia de emisor)

[pic 6]

La polarización con divisor de tensión (con resistencia de emisor)

[pic 7]

Auto polarización (con resistencia de emisor)

[pic 8]

1. EQUIPOS Y MATERIALES ELECTRICOS UTILIZADOS:

5 Condensadores electrolíticos de 1 uF/ 25 voltios

5 Condensadores electrolíticos de 10 uF/25 voltios

1 Resistencias de 15 KΩ

1 Resistencia de 10 KΩ

1 Resistencia de 3.6 KΩ

1 Resistencias de 4.7 KΩ

2 Resistencias de 2.2 KΩ

2 Resistencia de 1 KΩ

1 Resistencias de 1.1 KΩ

1 Diodo zener de 8.2 voltios

1 Diodo zener de 7.5 voltios

1 Transistor NPN 2N3904

1 Transistor BC547

1 transistor BC548

1 Transistor ECG123AP

2 Transistores PNP 2N3906

Cablecitos para conexiones en Protoboard.

1. PROCEDIMIENTO:

PASO 1

Implementar en el Proto bar el  circuito de la Figura 1:

[pic 9]Figura 1

1.- Calcule teóricamente las corrientes de colector en cada transistor así como la tensión colector- emisor. Para ello debe quitar los condensadores y abrir la conexión de la señal producida por el generador.

2.- Realice el paso 1 en forma práctica utilizando para ello un multímetro con la finalidad de medir experimentalmente los cuatro valores hallados en el paso 1

3.- Encuentre el error porcentual entre los valores teóricos y los valores prácticos de los pasos 1 y 2.Para ello utilice la fórmula:

% error = ((VT-VM) / VT) x 100

Donde VT es el valor teórico ya sea para una corriente o un voltaje y VM es el valor experimental medido con el multímetro ya sea para corriente o voltaje.

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DESARROLLO:

1.-Calculamos teóricamente la tensión colector emisor.  Para ello dividimos el diagrama en dos partes. Lado izquierdo- derecho.

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