“ANALISIS DE UNA PEQUÑA SEÑAL” PRACRICA # 4 “SURTIDOR COMÚN JFET”

[pic 1]

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE ZACATECAS

“FRANCISCO GARCIA SALINAS”

UNIDAD ACADEMICA

“INGENERIA EN ELECTRICA”

AREA

“INGENERIA EN ELECTRONICA INDUSTRIAL”

CURSO

“ANALISIS DE UNA PEQUÑA SEÑAL”

PRACRICA # 4

“SURTIDOR COMÚN JFET”

DOCENTE

DRA.M.EN I. DIANA M. DÍAZ DOMÍNGUEZ

ALUMNOS:

• SERGIO LÓPEZ CARRILLO
• LUIS ALBERTO VALENCIA CARRILLO

 Zacatecas zacatecas 21/02/2021

OBJETIVO:

 En esta práctica se pretende construir el circuito que está diseñado para obtener la auto polarizacion del JFET y la curva de la id contra el vgs.

INTRODUCCIÓN:

 La polarización del JFET se realiza mediante tensión continua y consiste en prepararlo para que en un circuito, en el cual se le quiere utilizar, a través del JFET circule una cantidad de corriente ID por el drenaje, y a su vez se obtenga una tensión entre el drenaje y la fuente VDS para esa cantidad de corriente ID, a esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q. La corriente ID va depender de la tensión compuerta fuente VGS que exista en la malla de entrada, la VDS dependerá de la malla de salida del circuito. En este tipo de polarización solamente se necesita una fuente de alimentación, ya  que se muestra este tipo de arreglo para un JFET de canal N, es muy similar para el caso del JFET de canal P, con la diferencia de que hay que invertir las polaridades.

DEASARROLLO:

Agreguen la imagen del circuito con transistor JFET, autopolarización y surtidor común aquí[pic 2]

DADO E| VG5 , COLCULOR ID        O POR†IR DE LA ECUOCION DE 5HOCEYPOROELZFET.

IDQ        /DSS $1 — p        

[pic 3][pic 4]

IDQ        1.4412 A

-Aplicar ley de tensioner de Kirchhoff en la malla que incluya a VGS y calcular RS.

RS +VGS + IDRS —— 0 .’. RS        —VGS

ID

p                 ( 0.833U) — 578 198o/i s 1.4412 mA

-A partir de la expresi6n de ganancia de voltaje y ga- nancia deseada calcular RD.

[pic 5]

gm ——  2IDSS   i — VGSQ        2(3.2416   A)        —0.833U[pic 6]

gm —— 1.728z10

gp _        —ior

—1.728xl0  3[pic 7]

= 5784.l8o/rms

Aplicar ley de tensioner de hirchhoff en la may que in- cluye a VDS y calcular VDD.

VDD — IDRS — VDS — IDRD —— 0

VDS —— VDD  (ID)(RD        RS )

1 VDD ) —— IDRD + IDRS . . VDD —— 2(ADHD        IDRS )

2

VDD —— 2 (1.4412iiiN) (5784.18o/iiiis) + (1. 4412iiiN)(1 78.19 8oluus )] VDD —— 18.3U

1. Agreguen los resultados de la simulación aquí, mostrando los voltajes (VGSQ, VDSQ) y corriente (IDQ) y una gráfica mostrando el voltaje de entrada y de salida.

[pic 8]

1. Agreguen una tabla comparativa de sus resultados y de los resultados deseados.

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