Diagramas De Flujo

DIODO SCHOOTTKY

¿ QUE ES ?

 Están normalmente formados por metales como el platino y silicio, es decir un diodo schottky surge de la unión de un platino, con silicio de tipo n.

 Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos

 Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.

CARACTERÍSTICAS

 La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.

 A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V.

APLICACIONES

 La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en las cuales las caídas en los rectificadores son significativas.

 Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.

DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

 Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia.

 circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.

DESVENTAJAS

 Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha). No puede ser utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificación en que la cantidad de corriente que tiene que conducir en sentido directo es bastante grande.

 No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente pues requiere que la tensión inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.

CONCLUSION

 El diodo schoottky tiene un segmento muy especial dentro de la electrónica y sus aplicaciones y es específicamente el de trabajar a altas frecuencias de hasta 300MHz, eliminando picos de corriente y en conmutación altísima, con bajos niveles de tensión, umbral bajo y, debido a su construcción, tiempos de respuesta mucho más rápidos.

 Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.

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