La Formula

Fabricación de Transistores

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los transistores de aleación prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusión mucho más baja que la del Si.

Transistores de aleación

Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de pequeña y mediana potencia (hasta 150 W). Normalmente se parte de discos de Ge monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito, a la vez que se introducen dos bolitas del componente de la aleación que se quiere formar (para este caso In). La de mayor tamaño se coloca en la cara destinada al colector y la más pequeña para el emisor. El conjunto se introduce en un horno con una atmósfera neutra o ligeramente reductora y se realiza el proceso de vuelco. A una temperatura de 600 ºC se forma una aleación eutéctica de In-Ge que contiene el 24% de Ge, una vez girado el molde 90ºC. A continuación se gira dicho molde 180 ºC para la formación del emisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la profundidad de las uniones base-emisor y base-colector.

Las aplicaciones más importantes de estos transistores son para baja frecuencia y conmutación media de baja potencia, así como para usos generales que no exijan rendimientos elevados.

Existe una variante para señales débiles que son las de aleación difusa. Estos son básicamente iguales a los de aleación, pero haciendo que el emisor forme en una aleación de In como Ge tipo N fuertemente dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a que entre las dos capas de conductividades diferentes, existe un campo acelerado, disminuyendo el tiempo de tránsito.

FABRICACION DE UN TRANSISTOR

En la siguiente figura se muestra detalladamente el proceso de fabricación de un transistor MOS (MOSFET).

No es la única forma de hacerlo, pero es un proceso típico:

1. Se parte de la oblea de material semiconductor.

2. Se hace crecer una capa de óxido (zona rayada) que servirá como aislante.

3. Se deposita un dieléctrico como el nitruro (capa roja) que servirá como máscara, también se podía usar simplemente el óxido anterior como máscara, depende del grosor y de los procesos siguientes.

4. Se deposita una capa de resina sensible a la radiación (capa negra), típicamente a la radiación luminosa. Se hace incidir la luz para cambiar las características de la resina en algunas de sus partes. Para ello sirven de ayuda las máscaras hechas antes con herramientas CAD.

5. Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y otras

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