POLARIZACIÓN EN C.C. DE UN FET CANAL N

 POLARIZACIÓN EN C.C. DE UN FET CANAL N

ACTIVIDAD

Implementar una configuración de autopolarización del transistor de efecto de campo BF245. Comprobar su región de trabajo o cualquier otro tipo N.

DESARROLLO

Simule el circuito y tome los datos de funcionamiento que se solicitan en la práctica. El resto de datos que pueda necesitar, los obtendrá de los anexos nº 1 y 5. Compruebe la zona de trabajo del FET. Dibuje la curva de drenador en estas circunstancias, figura 1. Para este montaje en particular, utilizará los componentes de la Lista de materiales.

VP ≈ 2.5V IDSS = 10mA

CIRCUITO PRÁCTICO

[pic 1]

[pic 2]

2. POLARIZACIÓN EN C.C. DE UN MOSFET CANAL N

ACTIVIDAD

Implementar una configuración de polarización mediante cuatro resistencias de un MOSFET. Comprobar su región de trabajo.

DESARROLLO

Monte el circuito y tome los datos de funcionamiento del montaje. El resto de datos que pueda necesitar, los obtendrá de los anexos nº 1 y 6. Se comprobará la zona de trabajo del NMOS. Dibuje la curva de drenador en estas circunstancias, figura 2 Para este montaje en particular, utilizará los componentes de la Lista de materiales.

VTH ≈ 3.3V. K = 500μA/V2.

CIRCITO PRÁCTICO

[pic 3]

Valores Medidos

[pic 4]

Valores Calculados

[pic 5][pic 6][pic 7]

[pic 8]

[pic 9][pic 10]

[pic 11]

1. En qué zona se encuentra trabajando el MOSFET, justifique su respuesta

 Región de corte.

El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el       transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto.

1. A partir de qué valor para este circuito el MOSFET entra en saturación, justifique su respuesta.

El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre el VDS supera un valor fijo denominado tensión de saturación VDs saturación

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