Práctica 6 dispositivos ipn

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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

Practica 6

Profesora: Arévalo González Elizabeth

1er parcial

5to semestre

Grupo: 5cv2

Alumnos:

Estrada Dieguez Luis Tadeo

Octavio Rodríguez Luna

Tarea previa

Silicio (Si):

• Eficiencia y velocidad: Los transistores bipolares de silicio son más eficientes y rápidos en comparación con los transistores de germanio. Son ampliamente utilizados en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
• Tensión de ruptura: Los transistores de silicio tienen una mayor tensión de ruptura, lo que significa que pueden soportar voltajes más altos sin sufrir daños.
• Temperatura de operación: Los transistores de silicio pueden funcionar a temperaturas más altas en comparación con los transistores de germanio antes de alcanzar su límite térmico.

Germanio (Ge):

• Ganancia de corriente: Los transistores bipolares de germanio tienen una mayor ganancia de corriente en comparación con los transistores de silicio, lo que significa que pueden amplificar mejor las señales débiles.
• Tensión de saturación: Los transistores de germanio tienen una menor tensión de saturación, lo que significa que pueden operar con tensiones más bajas.
• Sensibilidad a la temperatura: Los transistores de germanio son más sensibles a los cambios de temperatura y pueden tener un rendimiento menos estable en condiciones térmicas variables.

Curvas características de entrada y salida, recta de carga y puntos de operación:

Transistor bipolar de silicio (Si):

• Curva característica de entrada: Es una representación gráfica de la relación entre la corriente de base (IB) y la tensión de base (VBE) en la base del transistor, manteniendo la tensión colector-emisor (VCE) constante. Muestra cómo la corriente de base afecta a la corriente de colector (IC) y proporciona información sobre la ganancia de corriente del transistor.
• Curva característica de salida: Es una representación gráfica de la relación entre la corriente de colector (IC) y la tensión colector-emisor (VCE), manteniendo la corriente de base (IB) constante. Muestra cómo el transistor amplifica la corriente y proporciona información sobre su región de saturación y corte.
• Recta de carga: Es una línea recta que se traza en el plano de las características de salida y muestra la relación entre la corriente de colector (IC) y la tensión colector-emisor (VCE) para diferentes valores de resistencia de carga.
• Puntos de operación: Son los puntos de intersección entre la recta de carga y la curva característica de salida. Indican el estado de funcionamiento del transistor y se utilizan para determinar su punto de trabajo óptimo.

Transistor bipolar de germanio (Ge):

• Las características de entrada, salida, recta de carga y puntos de operación de un transistor bipolar de germanio son similares a las del transistor bipolar de silicio. Sin embargo, las curvas características de entrada y salida pueden tener diferentes pendientes y los puntos de operación pueden estar en diferentes ubicaciones debido a las diferencias en las propiedades eléctricas del germanio.

OBJETIVO: Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones, mediante el análisis y la interpretación de las mediciones, para obtener las gráficas de entrada y de salida del transistor.

DESARROLLO:

Caracterización de los transistores bipolares de silicio o bien de germanio, con señal de CD. 1.1 Realizar una tabla que contenga las características eléctricas generales que proporciona el fabricante en las hojas técnicas; incluyendo la serie o número de parte del transistor.

1.2 Mediante el uso del multímetro, identificar las terminales del transistor. Realizar un dibujo del símbolo del transistor y un dibujo del isométrico del transistor, indicando en cada caso el nombre de las terminales del dispositivo.

1.3 Armar el circuito como se indica en la figura, y realizar las medidas en el circuito, que se indican en la tabla y registrarlas en dicha tabla, para distintos voltajes de la fuente de alimentación VI que debe variar entre 0V y 12V (utilizar el variac en CD). Con un VCC de 15V. Considerando RB de 10KΩ±5% o mayor, RC de 1KΩ±5% y RE de 100Ω±5%; los tres resistores comprarlos a 1Watt.

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