LABORATORIO DE ELECTRONICA I TRANSISTORES MOSFET PRACTICA #7

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE HONDURAS EN EL VALLE DE SULA

[pic 1]

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA INDUSTRIAL

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

TRANSISTORES MOSFET

PRACTICA #7

CATEDRATICO

ING. PEDRO VASQUEZ

INSTRUCTOR

ING. GABRIEL MOLINA

ESTUDIANTE

BRIAN JOSUE ZELAYA SANDOVAL

20143000197  

SECCION DE LABORATORIO

 SABADO 0900

SAN PEDRO SULA, CORTES

1 DICIEMBRE DEL 2018

INTRODUCCION

Los transistores MOSFET o FET de metal oxido semiconductor es un tipo de FET CONTROLADO POR TENSION. Su principal característica es su velocidad de conmutación. Su terminal G esta compuesta de un material de metal de oxido semiconductor, el cual es aislante por lo que la corriente en la terminal G es casi nula, mucho menor a los JFET, por lo que se emplean en señales de muy baja potencia.

OBJETIVOS

• Conocer las características fundamentales de los transistores MOSFET.
• Describir su reseña histórica del transistor al igual que sus aplicaciones.

EQUIPO NECESARIOS

• Computadora con simulador Multisim.

MARCO TEORICO

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción. Son dispositivos mas importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o E-MOSFET Y D-MOSFET de canal P o PMOS. a su vez, estos transistores pueden ser de enriquecimiento o de empobrecimiento; en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de enriquecimiento.

El E-MOSFET opera solo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo de empobrecimiento. Difiere en cuanto del D-MOSFET, el cual se abordará a continuación, en que no tiene ningún canal estructural.

[pic 2]

Otro tipo de MOSFET es el MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET):

[pic 3]

Emodo de empobrecimiento imaginese la compuerta como la placa de un capacitos de placas paralelas y de canal como la ora placa. La capa aislante de bióxido de silicio es el dielectrico. Con un oltaje negativo en la compuerta, las cargas negativas en esta repelen los electrones de conducción provenientes del canal y deja a los iones positivos en su lugar. Por eso, e canala n se queda sin algunos de sus electrones, por lo que disminuye la conductividad del canal. Mientras mas grande es el voltaje negativo en la compuerta, mas grande es el empobrecimiento de electrones en el canal n. con un voltaje de compuerta a fuente suficientemente negativo, VGS (corte)y cero. Además, el D-MOSFET conduce con valores de VGS por encima de cero.

Reseña histórica de los MOSFET:

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925 una patente para "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 1926​ y 1928 pero no publicó artículo alguno de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930.

...