Laboratorio analógico: transistor mosfet como interruptor

Kevin Jiménez, Yeirson García, Edwin rojas, Laura baquero. kevinjimenez121@unisangil.edu.co, yeirsongarcia121@unisangil.edu.co laurabaquero122@unisangil.edu.co edwinrojas121@unisangil.edu.co[pic 1]

UNDACIÓN UNIVERSITARIA DE SAN GIL-UNISANGIL

LABORATORIO ANALÓGICO: TRANSISTOR MOSFET COMO INTERRUPTOR

Resumen— En el informe de laboratorio que sigue, se llevó a cabo un análisis exhaustivo e investigación detallada con el objetivo de comprender el desempeño y las propiedades del transistor MOSFET "IRFZ44N", así como el comportamiento de los transistores complementarios (TIP41 y TIP42), en conjunto con el  4N25.

Abstract-- In the laboratory report that follows, a comprehensive analysis and detailed investigation was carried out with the objective of understanding the performance and properties of the MOSFET transistor "IRFZ44N", as well as the behavior of the complementary transistors (TIP41 and TIP42), in together with the 4N25.

El transistor MOSFET se distingue por sus características superiores, lo que lo hace una alternativa mejorada en comparación con los transistores bipolares o BJT que solían ser utilizados anteriormente. Los BJT presentan desafíos relacionados con la capacidad de corriente y su sensibilidad a las variaciones de temperatura. Estas ventajas han resultado en la sustitución gradual de los BJT por los MOSFET en la industria, relegando a los primeros a cumplir funciones diferentes. Procedimientos

1. PRIMER MONTAJE

1. Comprobación del material

Primeramente, se comprobó el estado del transistor MOSFET con la ayuda del multímetro tal y como se evidencia en la lustración1, sin embargo, para tomar esa medida fue necesario el uso de guantes de nitrilo y manillas antiestáticas, teniendo cuidado de no tocar directamente los pines ya que los Mosfet se pueden dañarse por la estática del cuerpo, debido a que son unos transistores bastante delicados con este tema.

Por otra parte, se descargó el datasheet del transistor en donde se observó la distribución de sus pines, para la toma de medidas para el desarrollo del laboratorio.

1.  Mediciones del Mosfet

Cuando se midió la resistencia entre los terminales de drenaje y fuente del transistor MOSFET (específicamente, los pines 2 y 3), se obtuvo un valor de 1,39 megaohmios. Además, se pudo confirmar la presencia de un diodo en este transistor, ubicado en paralelo entre los terminales de drenaje y fuente. La medición del diodo arrojó un valor aproximado de 0,614, lo que indica su función de protección contra voltajes inversos en la práctica de circuitos.

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1. MONTAJE Y SIMULACIÓN

Las siguientes imágenes muestran dos escenarios diferentes. Uno de ellos corresponde a una configuración digital realizada utilizando el software Proteus, mientras que la otra ilustración representa una simulación llevada a cabo en un protoboard físico.

[pic 2]

Ilustración 4 Montaje en Proteus circuito1

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Ilustración 5. Montaje en Protoboard circuito1

Tabla 1 Primera variación del potenciómetro

Tabla 2 Segunda variación del potenciómetro

Tabla 3 Tercera variación del potenciómetro

Tabla 4 Cuarta variación del potenciómetro

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