SEMICONDUCTOR & FUNDAMENTALS-II Manual del Estudiante

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CURSO EB-112

SEMICONDUCTOR & FUNDAMENTALS-II

Manual del Estudiante

LECCIÓNES DE LABORATORIO

Copyright © 1994 propiedad I.T.E. Innovative Technologies in Education.

Todos los derechos reservados. Este libro o cualquiera de sus partes no deben reproducirse de ninguna forma sin el permiso escrito previo de I.T.E. Esta publicación esta basada en la metodología exclusiva de Degem Systems Ltd.

Con el interés de mejorar sus productos, los circuitos, sus componentes y los valores de estos pueden modificarse en cualquier momento sin notificación previa.

Primera edición en español impresa en:                    1986                  

Segunda edición en español impresa en:                  1987,1988,1989,2002

Tercera edición en español impresa en:                  2004

Cat. No. 9031311205 (SPN, DEGEM)

TABLA DE CONTENIDO

Laboratorio 1:           Transistor de Efecto de Campo I                            1-1

Laboratorio 2:                 Transistor de Efecto de Campo II                         2-1

Laboratorio 3:      Transistor de Efecto de Campo III                               3-1

Laboratorio 4:             Amplificadores TEC I                                            4-1

Laboratorio 5:                   Amplificadores TEC II                        5-1

Laboratorio 6:          Amplificadores TEC III                        6-1

Laboratorio 7:           VMOS I                 7-1

Laboratorio 8:     VMOS II                                                       8-1

Laboratorio 9:     VMOS III                                                              9-1

Laboratorio 10:                   SCR I                              10-1

Laboratorio 11:           SCR II                      11-1

Laboratorio 12:                  SCR III            12-1

Laboratorio 13:   SCR (Tiristor) IV                                                       13-1

Laboratorio 14:           Triac I                 14-1

Laboratorio 15:           Triac II                 15-1

Laboratorio 16:           Diagnostico - Preparación            16-1

Laboratorio 17:   Diagnostico -Prueba                                    17-1

Laboratorio 18:   Maratón de Diagnostico                                              18-1

EB-112                               _                                                                _                            1-1            

LECCIÓN No. 1: TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO- I

OBJETIVOS

Transistor de Efecto de Campo Tras completar esta lección, usted será capaz de:

1. Graficar la curva característica de drenaje en base a valores medidos.

1. Graficar la curva característica de transferencia en base a valores medidos.

DISCUSION

En este experimento usaremos un transistor de efecto de campo (abreviado TEC) de canal-N. Este transistor posee dos modos de operación fundamentales:

1. Para bajos valores de la tensión VDS, el cociente VDS / ID es aproximadamente constante, y suele ser llamado RDS.

1. Para altos valores de VDS (a partir de la tensión Vp), la corriente ID se mantiene constante, insensible a la variación en el valor de VDS.

En el primero de estos modos, el TEC es usado como atenuador o como resistor controlado por tensión.

En el segundo modo, el TEC es usado como amplificador o como fuente de corriente.

AUTOEXAMEN

1. En bajos valores de VDS, el TEC actúa como una:

Fuente de tensión.

Resistencia.

Fuente de corriente.

1. Para altos valores de VDS, la corriente de drenaje depende de:

VDS 

RD 

VGS 

EB-112                               _                                                                _                            1-2            

EQUIPO

Para realizar esta práctica de laboratorio, se precisa el siguiente equipo:

* Bastidor PUZ-2000

* Plaqueta de circuito impreso EB-112

* Tablero Maestro

* Multímetro digital (DMM)

* Osciloscopio de doble trazo

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