Diseño con transistores Practica #1

Instituto Tecnológico de Culiacán

[pic 1]

Materia:

Diseño con transistores

Practica #1

Profesor:

M.C. Jesús R. Villareal Salazar

Integrantes del equipo:

Angulo Flores Jaime Eduardo

Armenta Luna Daniel Alejandro

Camacho Torres José Daniel

Cebreros Torres Jesús Roberto

Fecha de entrega:

04/02/16

Introducción

Con esta práctica buscamos aplicar los conocimientos adquiridos a lo largo de nuestra carrera, haciendo los cálculos y mediciones necesarios para resolver un circuito con un transistor al cual se le aplica un voltaje a su base y a su colector mediante sus respectivas resistencias y se aplica una tierra a la base y al emisor de igual manera con sus respectivas resistencias.

Objetivo

El objetivo de esta práctica es el fortalecimiento de conocimientos adquiridos mediante los cálculos requeridos y la comprobación de estos mismos realizando las mediciones practicas directamente con el circuito armado.

[pic 2]

[pic 3]

[pic 4]

[pic 5]

[pic 6]

Valores Calculados

IB = (VCC – VBE) / (RB + (β+1) RE )) [pic 7]

IB = (20V – 0.7V)  / (430KΩ + (51*1KΩ))

IB = 40.1 µA

[pic 8]

IE = (β+1)*IB = (51) (40.1µA)

IE = 2.046 mA

[pic 9]

VC = VCC – IC*RC

VC = 20V – (2.06mA) (2KΩ)

VC = 15.988V

[pic 10]

VBE = VB – VE

VB = VBE + VE

VB = 0.7V + 2.046V

VB = 2.746V

Valores medidos

Conclusión

En esta práctica comprobamos que los voltajes y corrientes en la base, colector y emisor calculados en el circuito difieren un poco de los valores de la simulación, pero la variación entre estos y los cálculos hechos a mano si es significativa, debido  que muchas veces la teoría y la práctica no son iguales, y al hacerlo en físico intervienen diversos factores, como la tolerancia de las resistencias, la temperatura en el medio, además el modelo de transistor, creemos que el problema es el valor de la beta de este modelo.

...