DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

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UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES[pic 7]

1. OBJETIVOS:

• Obtener las características de un diodo de silicio y germanio.
• Analizar las características técnicas de un diodo.

1. INTRODUCCION: 

Contexto histórico:

En 1919, a William Henry Eccles, un físico inglés, adjudicó el nombre mediante la raíz griega “di” que significa “dos” y la palabra “oda” que significa “camino”, aunque algunas fuentes dicen que “oda” fue tomada de la palabra electrodo que fue acuñada por Michael Faraday.

Definición:

Diodo; es un componente eléctrico de 2 terminales, tal como un resistor.

Es un dispositivo diseñado para que la corriente fluya en un solo sentido, es decir, solamente permite que la corriente vaya en una sola dirección.

El símbolo representativo del diodo en esquemas electrónicos es el siguiente:[pic 8]

Diodo ideal:

De forma ideal el diodo conducirá la corriente en la dirección definida por la flecha en el símbolo mostrado y actuará como un circuito abierto para cualquier intento de establecer la corriente en el sentido opuesto a la flecha. Es decir que idealmente si la corriente fluye en el sentido de la flecha el diodo funcionaria como un cable por así decirlo y de lo contrario como un circuito abierto que no permitirá el paso

Diodo semiconductor:

Un diodo semiconductor está conformado de cristal semiconductor con impurezas en el para crear una región que contenga portadores de carga negativa llamada semiconductor tipo n, y una región en el otro lado que contenga portadores de carga positiva, llamada semiconductor tipo p.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p. Al establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.

1.  MATERIALES

• Fuente: DC
• Dispositivo de medida múltiple
• Resistores ¼ W: 1KΩ, 1MΩ
• Diodos: silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60

1. PROCEDIMIENTO

PARTE 1: Prueba del diodo

En esta parte se realiza las pruebas en el diodo, específicamente las mediciones de su voltaje de polarización y la resistencia entre los terminales del mismo

1. Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

CONEXIÓN DIRECTA

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1. Usar la escala de prueba de resistencia en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

PARTE 2: Características del diodo en polarización directa

Para esta parte se debe construir el siguiente circuito y registrar el valor medido del resistor.

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A continuación, se debe incrementar el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V, luego se mide el VD y calcula la ID.

Todo esto debe ser anotado en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo para así obtener los datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y germanio.

PARTE 3: Polarización Inversa

Para esta parte debemos construir el circuito de la figura y registrar el valor medido del resistor. [pic 12]

1. En este circuito debemos medir el voltaje VR para con ese dato calcular la corriente de saturación inversa con la ecuación

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1. Determinar los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.

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PARTE 4: Circuitos combinados

Se debe construir el circuito de la figura y registre el valor medido de las tensiones y corrientes en el diodo 1 (Si 1N4007), diodo 2 (SI 1N4148) y las resistencias 1 (1MΩ) y la resistencia 2 (1KΩ). [pic 16]

PARTE 5: Resistencia DC

Usando las curvas características de los diodos que se elaboró gracias a las tablas 3 y 4, determine el voltaje de diodo en los niveles de corriente indicados.

1. ANALISIS DE DATOS

Parte 1: Prueba del diodo

Se determinó la condición del diodo, tanto para analizar su resistencia como también el voltaje de polarización.

1. Escala de prueba de diodo del DMM

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1. Escala de resistencia del DMM

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