Hp Pavilion Dm1

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Resumen

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Nombre de marca del equipo: Hewlett-Packard HP Pavilion dm1 Notebook PC

Sistema Operativo: Microsoft Windows 7 Professional Build 7601

Service Pack: Service Pack 1

Procesador: AMD Athlon II Neo K325 (1300.0 MHz)

Placa base: Hewlett-Packard 148B (AMD M785 (RS880M) + SB810/SB850)

Memoria: 1787 MBytes (Dos canales)

Disco duro: Hitachi HTS725032A9A364 (305,245 MBytes (320 GB))

Tarjeta gráfica: ATI Mobility RADEON HD 4200 (RS880M) [Hewlett-Packard]

Tarjeta de sonido: ATI SB800/Hudson-1 - High Definition Audio Controller

ATI RS785/RS880 - High Definition Audio Controller

Adaptador de red: RealTek Semiconductor RTL8102E/8103E Fast Ethernet NIC

Broadcom 802.11n Wireless Network Adapter

Monitor: AU Optronics B116XW01

Batería: Primary

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Procesador

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ID de la Unidad Central de Procesamiento (CPU): 00100F63

ID de CPU extendida: 00100F63

Nombre de código: Geneva

Tamaño de la CPU: DA-C3

Plataforma de la CPU: ASB2

Revisión de actualización del microcódigo: 10000C8

Núcleo(s): 2

Subproceso(s): 2

Frecuencia original: 1300.0 MHz

Frecuencia actual: 1307.1 MHz = 6.50 x 201.1 MHz @ 0.9625 V

Temperatura del núcleo de la CPU: 71,25 °C (160,25 °F)

Caché L1: Instruction: 2 x 64 KBytes, Data: 2 x 64 KBytes

Caché L2: Integrated: 2 x 1 MBytes

Potencia de diseño térmico de la CPU: 12.0 W

Diseño térmico actual de la CPU: 9.4 A

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Placa base

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Modelo: Hewlett-Packard 148B

Chip: AMD M785 (RS880M) + SB810/SB850

Bahías: 1xPCI Express x1, 2xPCI Express x2

PCI Express versión soportada: v2.0

USB versión soportada: v2.0

Chip Super IO/LPC: Unknown

Fabricante de la BIOS: Insyde Software

Fecha de la BIOS: 09/15/2010

Versión de la BIOS: F.15

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Memoria

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Número de módulos: 1

Tamaño del módulo: 1024 MBytes

Tipo de módulo: SO-DIMM

Tipo de memoria: DDR3 SDRAM

Velocidad de memoria: 666.7 MHz (PC3-10600)

Fabricante del módulo: Samsung

Número de pieza: M471B2873FHS-CH9

Revisión del módulo: 0

Nº de serie del módulo: 1136271716

Fecha de fabricación del módulo: Año: 2010, Semana: 42

Fabricante de la memoria SDRAM: Samsung

Corrección de errores de comprobación: Ninguno

Número de bancadas: 8

Número de rangos: 1

Ancho del dispositivo: 8 bits

Ancho del BUS: 64 bits

Densidad del módulo: 1024 Mb

Voltaje del módulo: 1.5 V

Tiempo mínimo de ciclo de la memoria SDRAM: 1.500 ns

Latencias CAS soportadas: 5, 6, 7, 8, 9

Tiempo mínimo de latencia CAS: 13.125 ns

Retraso mínimo de RAS a CAS: 13.125 ns

Tiempo mínimo de precarga de la fila: 13.125 ns

Tiempo mínimo activo de precarga: 36.000 ns

Tiempo mínimo de recuperación de escritura: 15.000 ns

Retraso mínimo de fila a fila activa: 6.000 ns

Tiempo mínimo activo de actualización: 49.125 ns

Retraso mínimo de tiempo para refrescar la recuperación: 110.000 ns

Retraso mínimo de escritura interna para leer el comando: 7.500 ns

Retraso mínimo de escritura interno para precargar el comando: 7.500 ns

Retraso mínimo cuatro para activar la ventana: 30.000 ns

Soportado módulo de sincronización a 666.7 MHz: 9-9-9-24

Soportado módulo de sincronización a 400.0 MHz: 6-6-6-15

Soportado módulo de sincronización a 333.3 MHz: 5-5-5-12

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